核能科学与发电技术学报

Fe-C-Si基合金的γ辐射和中子屏蔽性能

Md Sayed Hossain、Robin Barman *、Anik Das、Md Kaosar Ahmmad Rabby 和 Debasish Chowdhury

利用Phy-X/ PSD软件，在1keV至105MeV的光子能量范围内，理论研究了Fe-C-Si基合金的质量衰减系数(MAC)、线性衰减系数(LAC)、平均自由程(MFP)、半值层(HVL)、十分之一值层(TVL)和有效原子序数(Z _eff )等γ辐射屏蔽参数。还研究了所选合金的快中子去除截面(FNRCS)等中子屏蔽参数。此外，利用XCOM程序确定所选合金的MAC，并与Phy-X结果进行比较进行验证。从详细研究中发现，对于所有能量，富Fe合金的MFP、HVL、TVL和Z _eff最小，而MAC、LAC和FNRCS因子最大。因此，在所研究的合金中，富Fe合金显然具有良好的γ辐射和中子屏蔽性能。这项研究对于这些材料在核设施和其他工业中的潜在应用以及选择有效的伽马射线和中子屏蔽材料将会很有用。