Abdesslam Lamrabet*、Abdelmajid Maghnouj 和 Abdessamad Didi
这项工作旨在评估瑞士保罗谢勒研究所 MEGAPIE 散裂靶的局部散裂效率。此类信息是考虑该靶的材料和/或几何优化的关键。这项研究特别关注了反映靶局部中子性能的两个物理量。它们是中子和次级质子的局部产生率。计算采用基于 GEANT4 工具包的蒙特卡罗方法进行。所得结果表明,靶的中子产额在同一水平上呈现出明显的奇点,在整个活动区中并不十分规则。这些是真正的散裂中心,实际上只有两三个不同的层。因此,与今天已知的散裂区域相比,散裂区域非常短。这种定位使得能够通过高度集中的材料和/或几何提升来获得性能更好的靶。