神经科学与临床研究杂志

正电子发射断层扫描可见的内侧颞叶轻微损伤对认知障碍严重程度和癫痫病程的影响

Jacek M?dry*、Karolina Duszy?ska W?s、Agnieszka Drzewi?ska、Hanna Grygarowicz 和 Andrzej Friedman

目的:研究正电子发射断层扫描可见的内侧颞叶微小病变对认知障碍严重程度及癫痫病程的影响。

材料与方法：将31例病因不明、病程较轻、治疗效果好的内侧颞叶癫痫患者分为正电子发射断层扫描显示18F-氟脱氧葡萄糖示踪剂摄取减少的15例患者组和正电子发射断层扫描显示内侧颞叶18F-氟脱氧葡萄糖示踪剂摄取正常的16例患者组，比较两组的认知障碍严重程度和癫痫病程。将15例内侧颞叶18F-氟脱氧葡萄糖示踪剂摄取减少的患者分为磁共振成像显示颞叶内侧硬化不明显的5例患者组和仅在正电子发射断层扫描上有明显改变的10例患者组，再次进行上述比较。

结果：在第一次比较中，注意力功能范围内的认知障碍明显较大 p=0.037，个体认知功能总和为 p=0.032。在第二次比较中，言语记忆范围内的认知障碍明显较大 p=0.032，整体行为评估执行障碍综合征评分为 p=0.015，执行功能为 p=0.011。癫痫病程无明显差异。

结论：颞叶内侧轻微损伤（在正电子发射断层扫描上可见）或颞叶内侧稍大损伤可导致显著更大的认知障碍，但对癫痫严重程度无明显影响。所得结果与良性颞叶内侧癫痫的特征相矛盾