电气工程与电子技术学报

碳化硅样品在 ISM 波段（25°C 至 165°C）的微波特性

Rammal W、Rammal J、Salameh F、Taoubi M、Fouany J、Alchaddoud A 和 Canale L

本文介绍了在 ISM 波段（2.45 GHz）下对 25°C 至 165°C 范围内具有高损耗角正切的碳化硅样品的介电特性进行的微波表征。采用了不同的技术来表征 SiC 样品：透射和反射模式下的圆柱形谐振腔技术、微带环谐振器以及近场微波显微镜。圆柱形谐振腔（透射和反射）获得的结果具有很好的一致性，SiC 的相对介电常数和损耗角正切在 25°C 至 165°C 之间分别随温度增加 48% 和 190%。这些技术很准确，但需要两个热循环。微带环谐振器获得的结果不如谐振腔准确，而且低品质因数（Q0=2.5）无法正确确定介电常数的虚部，因此也无法正确确定损耗角正切。最后，近场微波显微镜技术测量结果准确，介电常数实部（<2%）和虚部（<5%）的不确定度较低。这些结果与谐振腔技术非常吻合，但该技术只需要一个热循环，从而节省了测量时间。