电气工程与电子技术学报

GaN基异质结构二维电子气的研究

Rahman MS、Babuya SK、Mahfuz MA、Siddiki FBT 和 Mahmood ZH

利用自洽薛定谔-泊松方程模拟器，研究了 AlGaN/GaN、AlN/GaN 和 InGaN/GaN 异质结构的二维电子气 (2DEG) 面载流子密度。模拟还考虑了 2DEG 密度特性背后的物理原理。研究了 2DEG 密度对合金成分、沟道层厚度和栅极电压变化的依赖关系。模拟显示了不同异质结构中 2DEG 面载流子密度的比较。在没有任何偏压的情况下，AlGaN/GaN 获得的最大 2DEG 面载流子密度为 1.76×10 ¹³ cm ^-2，AlN/GaN 为 2.16×10 ¹³ cm ^-2，InGaN/GaN 为 1.82×10 ¹³ cm ^-2。