纳米材料与分子纳米技术杂志

扫描探针光刻中的 Fowler-Nordheim 电子发射的二维模拟

Steve Lenk、Marcus Kaestner、Claudia Lenk、Tihomir Angelov、Yana Krivoshaapkina 和 Ivo W Rangelow

扫描探针光刻中的 Fowler-Nordheim 电子发射的二维模拟

为了制造量子计算机，有必要定期制造关键尺寸低至个位数纳米范围的设备。由于极紫外光刻技术成本高且发展滞后，我们专注于扫描探针光刻 (SPL)，利用 Fowler-Nordheim 发射电子对分子抗蚀剂材料进行图案化。我们的方法类似于使用特殊电子发射器（即我们的纳米尖端）的电子束光刻，不同之处在于发射电子的能量要低得多，并且可以在环境条件下工作。基于热机械驱动的压阻悬臂技术，我们的团队开发了第一个扫描探针光刻平台原型，能够对低至单个纳米范围内的特征进行成像、检查、对准和图案化。在这里，我们介绍了电子发射和发射电子的表面曝光的理论研究。描述了我们的模拟模型和使用的假设。分析了由此产生的电场和电子密度分布，以更深入地了解光刻曝光参数的相关性。