纳米材料与分子纳米技术杂志

化学气相沉积 (CVD) 法生长多层石墨烯及其表征

Dutta D、Hazra A、Das J、Hazra SK、Lakshmi VN、Sinha SK、Gianoncelli A、Sarkar CK 和 Basu S

化学气相沉积 (CVD) 法生长多层石墨烯及其表征

具有纳米结构配置的石墨烯已被证明是一种潜在的材料，可用于不同的科学和技术领域。单层石墨烯的生长是一项真正的挑战，但最近几层和多层石墨烯也被证明非常有用。在目前的研究中，采用热 CVD 方法在 1000°C 和大气压下分解甲烷 (CH4) 与高纯度氢气（比例为 CH4:H2:N2=15:5:300（SCCM））来生长多层石墨烯薄膜，使用沉积在热氧化硅基板上的铜 (Cu) 催化膜。