Simo A、Khamlich S、Fuku G、Mwakikunga B 和 Malik Maaza
ITO/VO2离子交换纳米结构的水热合成及电化学研究
通过水热法成功合成了二氧化钒纳米结构,最后在 500°C 下退火,以获得具有良好均匀性和晶体饱和度的纳米结构 VO2(M1)。此外,通过滴铸和干燥从挥发性有机化合物溶液 VO2(M1)在氧化铟锡(ITO)基底上进行沉积。通过X 射线衍射、拉曼光谱、SEM 和氧化与还原态之间的循环伏安法对涂层进行表征。观察到,与导电表面晶片相比,结晶氧化钒(IV)具有最高的插层电荷和增强的耐久性。强调了实现单相结晶氧化物对于提高涂层性能的重要性。这项研究为使用这种具有高导电性能的独特材料进行进一步的电化学研究开辟了新途径。