纳米材料与分子纳米技术杂志

掺杂浓度对氧化镉纳米粒子晶体学、光学和电学性质的影响

Narender Budhiraja、Ashwani Sharma、Sanjay Dahiya、Sanjay Kumar 和 Rajesh

掺杂浓度对氧化镉纳米粒子晶体学、光学和电学性质的影响

采用化学共沉淀法制备了掺杂不同量稀土金属钕(Nd)离子的氧化镉 (CdO)纳米粒子。掺杂水平从 [Nd/Cd] = 0.1 到 10 wt% 不等。通过 X 射线衍射 (XRD) 对这些材料进行晶体学分析，结果表明平均晶体尺寸在纳米区域，即 30-30.8 nm。利用 X 射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、傅里叶变换红外光谱 (FTIR)、紫外-可见光谱 (UV-Vis) 表征了合成的纳米材料。还研究了电性能与掺杂浓度的关系。目前的研究还调查了不同掺杂浓度对所制备纳米材料形貌和表面特征的影响。