纳米材料与分子纳米技术杂志

在 Si 基底上刻蚀掩模图案上的 Sn 涂层多壁碳纳米管界面处形成的纳米互连的形态表征

Mohanty US、Lin CI 和 Lin KL 

在第一阶段，通过在 CNT 悬浮液中沉淀 SnCl2 来合成锡涂覆的多壁碳纳米管 (SnO2/MWCNT) 复合材料。采用三氟乙酸 (TFA) 的有效分散技术，将锡涂覆的多壁碳纳米管 (MWCNT) 均匀分散在蚀刻掩模上，该蚀刻掩模使用 AZ 1500 作为光刻胶在硅晶片上形成图案。MWCNT 悬浮液均匀分散在图案化的硅晶片上，通过高分辨率透射电子能谱 (HRTEM) 清楚地建立了纳米互连或纳米接头的形成。高分辨率透射电子显微镜 (HRTEM) 图像表明，两个 MWCNT 之间形成的纳米互连由四方 Sn 和正交 SnO2 相组成。在回流气氛下，通过还原 SnO2/MWCNT，在两个多壁碳纳米管的界面处观察到元素 Sn。还研究了碳纳米管中石墨烯层与金属 Sn/氧化物之间的界面相互作用。拉曼光谱研究确定了 MWCNT 与金属 Sn 之间的界面相互作用。结果表明，MWCNT 与 Sn 之间的强相互作用降低了 MWCNT 中的 ID/IG 比。发现多壁碳纳米管在图案化掩模上彼此连接良好，这种现象可以为电子电路中碳纳米管的导电性带来新的启示。