Mazmira Mohamad、Rashid Ahmed、A Shaari 和 Souraya Goumri-Said
采用密度泛函理论方法对噻吩分子与石墨烯表面的界面进行了研究。为此,界面分离距离从 1.00Å 到 2.50Å 不等。我们报告的 HOMO-LUMO 能隙值、吸附能以及结合能表明存在由范德华力和泡利排斥力积累起来的分子间力。随后注意到,即使对分子与表面之间界面分离距离的相对较小的变化,不断增长的分子间力也非常敏感。在电子态密度中,发现噻吩/石墨烯系统的密集电子布居,在能量费米能级出现自旋极化。此外,当分子靠近表面时,观察到噻吩分子的轻微磁性行为,同时石墨烯表面的磁化强度降低。